1) Ga As I C
GaAs电路
2) (In)GaAs mid-cell
(In)GaAs中电池
3) GaAs photocathode
GaAs光电阴极
1.
Stability of GaAs photocathodes under different intensities of illumination;
GaAs光电阴极在不同强度光照下的稳定性
2.
A dedicated,computer-automated multi-information measurement system has been successfully developed,based on field bus,which is capable of on-line measuring,acquiring,saving and processing most information involved in GaAs photocathode preparation,including the pressure of the activation vacuum chamber,photocurrent of the photocathode,spectral response,current of both Cs and O sources.
研制了一套基于现场总线技术的GaAs光电阴极多信息量测试系统,该系统可在线测试和保存阴极制备过程中的大部分信息量,如激活系统的真空度、阴极光电流、光谱响应曲线、Cs源和O源电流等。
3.
A novel computer-controlled multi-function system has been developed to characterize GaAs photocathode.
利用自行研制的GaAs光电阴极多信息量测试与评估系统,比较了不同Cs、O激活方式下GaAs光电阴极的激活过程、光谱响应特性以及稳定性的差异,发现与传统的Cs源、O源交替断续激活方式相比,Cs源持续,O源断续的激活方式能获得灵敏度更高和稳定性更好的阴极,且阴极的长波响应能力也得到提高。
4) GaAs solar cell
GaAs太阳电池
1.
The reflectance of DL SiO_2/ZnSe and the SiO_2/ZnS ARCs as a function of wavelength and weighted reflectance for SiO_2 top anti-reflection coatings with different thicknesses in GaAs solar cells are calculated according to the optical interference matrix.
考虑双层减反射膜材料的折射率色散效应,采用光学干涉矩阵法计算了SiO2/ZnSe和SiO2/ZnS两种GaAs太阳电池双层减反射膜的反射率与波长的函数曲线,以及加权平均反射率随着顶层减反射膜SiO2厚度变化的函数曲线,并与未考虑色散效应的情况进行了对比。
5) GaAs solar cells
GaAs太阳电池
1.
The performance degradation of multi-quantum well (MQW) GaAs solar cells is studied.
2MeV,1×109~2×1013cm-2质子辐照量子阱GaAs太阳电池,用I-V特性和光谱响应测试分析辐射效应。
2.
Performance degradation of multi-quantum wells (MQW) GaAs solar cells based on InGaAs/GaAsP grown on GaAs substrates are studied using 2MeV proton irradiation with fluence 1×10 9cm -2 to 2×10 13 cm -2 .
用I-V特性、光谱响应和深能级谱分析辐射效应,分析了1×109~2×1013cm-2,2MeV质子辐照量子阱GaAs太阳电池。
6) ZnSe/GaAs photoelectrode
ZnSe/GaAs半导体电极
补充资料：GaAs epitaxial wafer
分子式：
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条