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1)  flux crystal growth temperature control
助熔剂法生长温度控制
2)  K2O flux method
助熔剂法生长
3)  flux growth
助熔剂生长
4)  crystal growth by flux method
助熔剂法晶体生长
5)  crystal growth from solvents
助熔剂晶体生长
6)  Flux method
助熔剂法
1.
Single crystal of GaPO4 has been grown by the flux method.
采用助熔剂法生长了GaPO4晶体。
2.
A Yb:YAl_3(BO_3)_4 crystal with large size has been grown by flux method.
利用助熔剂法生长了高质量、大尺寸的Yb:YA l3(BO3)4晶体,讨论了晶体生长过程中各种工艺参数对晶体生长的影响;研究了晶体的自倍频绿光输出、自倍频黄光输出、锁模激光输出。
3.
Single crystal of Yb:GdYAl_3(BO_3)_4(Yb:GdYAB) has been grown by the flux method.
采用助熔剂法生长了Y b:G dYA l3(BO3)4晶体。
补充资料:助熔剂法
分子式:
CAS号:

性质:一种常用的晶体生长方法。熔点较高的无机固体化合物直接从熔体中生长晶体比较困难,可以选择一些低熔点化合物作为助熔剂,使希望得到单晶的材料溶解在其中;缓慢降低体系温度或逐渐地使助熔剂挥发而析出晶体。很多晶体都可以用这种方法制备。选择助熔剂要根据体系的相图,助熔剂应不与单晶材料形成其他化合物,最好是完全不互溶的体系,以减少助熔剂对材料的污染。

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参考词条