1) Cd x Zn 1-x Te/ZnTe MQW
Cd_xZn_(1-x)Te/ZnTe多量子阱
2) ZnSeTe/ZnTe multiple quantum wells
ZnSeTe/ZnTe多量子阱
3) ZnSe-ZnTe MQWs
ZnSe-ZnTe多量子阱
4) ZnCdTe-ZnTe quantum wells
ZnCdTe-ZnTe量子阱
1.
ZnCdTe-ZnTe quantum wells (QWs) have been grown on Si (100) substrates in a horizontal-type low-pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) system.
在本文中,我们用低压有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法在ZnO 覆盖Si(100)衬底上外延生长了ZnCdTe-ZnTe量子阱结构,并与直接在Si(100)衬底上生长的同一结构进行了比较,通过对它们表面形貌及发光光谱的比较,我们发现,有ZnO 覆盖层时,外延层的表面裂纹消失,并且发光效率明显提高。
5) Ge_xSi_(1-x)/Si Single Quantum Well
Ge_xSi_(1-x)/Si量子阱
6) Zn_(1-x)Cd_xO thin films
Cd_xZn_(1-x)O薄膜
补充资料：多量子阱(见量子阱)
多量子阱(见量子阱)
multiple quantum well
多t子阱multiple quanturn well见量子阱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条