1) CdSe/ZnSe
CdTe/Znse
2) p ZnSe
p-ZnSe
3) ZnSe single crystal
ZnSe单晶
1.
A ZnSe single crystal with diameter of 25mm and length of 3mm was grown at a correct temperature and with I_2.
采用化学气相输运法(CVT)在适合的温度和I2含量的条件下,生长出了25mm×3mm的ZnSe单晶,位错密度为6。
2.
High quality ZnSe single crystals were grown by high-pressure Bridgman method(HPB)at 1530℃ under argon gas atmosphere.
采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体。
4) zinc selenium polycrystal
ZnSe多晶
5) ZnSe crystal
ZnSe晶体
1.
Preparation of ZnSe crystal from pure Zn and Se;
ZnSe晶体制备的工艺研究
2.
ZnSe crystal was synthesized.
制备了ZnSe晶体 ,对其生长和加工工艺进行了研究 ,提出了一些合理的解决办法。
3.
ZnSe crystals with different morphologies were grown using the as-prepared ZnSe nanopowder by changing reaction time.
用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)等技术手段,分别对产物进行了表征,并从ZnSe晶体的结构上对其形貌的形成进行了初步分析。
6) ZnSe bulk single crystals
ZnSe体单晶
补充资料：cadmium telluride CdTe
分子式：
CAS号：
性质：周期表第II，VI族元素化合物半导体。强离子性的共价键结合。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6477nm，为复式晶格。密度5.86g/cm3。熔点1098℃。室温禁带宽度1.50eV。电子和空穴迁移率分别为6×10-2和6.5×10-3/(V·s)。采用区域熔炼法、高压熔融法制备单晶。用于制作近红外光探测器、γ和X射线谱仪、电光调制器等。
CAS号：
性质：周期表第II，VI族元素化合物半导体。强离子性的共价键结合。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6477nm，为复式晶格。密度5.86g/cm3。熔点1098℃。室温禁带宽度1.50eV。电子和空穴迁移率分别为6×10-2和6.5×10-3/(V·s)。采用区域熔炼法、高压熔融法制备单晶。用于制作近红外光探测器、γ和X射线谱仪、电光调制器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条