1) a-SiC:H thin film light-emitting diode
非晶硅碳薄膜发光二极管
2) thin-film light-emitting diode
薄膜发光二极管
3) a-Si_(1-x)C_x:H thin films
非晶硅碳薄膜
1.
So the a-Si_(1-x)C_x:H thin films with different optical band gaps could be deposited according the needs.
本论文的研究目的在于通过电容耦合等离子体增强化学气相沉积法(CCP-CVD)和电感耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICP-CVD)制备氢化非晶硅碳薄膜，探讨a-Si_(1-x)C_x：H薄膜的形成和网络结构畸变的内在。
4) a-Si PIN diode
非晶硅光敏二极管
5) thin-film light emitting diode(LED)
薄膜发光二极管(LED)
6) amorphous silicon carbon films
非晶氢化硅碳薄膜
补充资料：稀土-铁族金属非晶薄膜磁光材料
分子式：
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条