1) gas source molecular beam epitaxy (GS MBE)
气体源分子束外延(GS-MBE)
2) molecular beam epitaxy(MBE)
分子束外延(MBE)
3) molecular beam epitaxy (MBE)
分子束外延(MBE)
4) plasma assisted molecular beam epitaxy (P-MBE)
等离子体辅助分子束外延(P-MBE)
5) Laser molecular beam epitaxy (L MBE)
激光分子束外延(L-MBE)
6) GSMBE
气源分子束外延
1.
Controlling states and activities of the doping gases at a specified temperature,an in situ doping control technique of SiGe/Si materials by GSMBE with knowledge property right of our own is proposed.
在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制 ,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长 Si Ge/Si材料的原位掺杂控制技术。
补充资料：外延气体
分子式：
CAS号：
性质：在仔细选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种，即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅，主要用于外延硅淀积，多晶硅淀积，淀积氧化硅膜，淀积氮化硅膜，太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。
CAS号：
性质：在仔细选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种，即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅，主要用于外延硅淀积，多晶硅淀积，淀积氧化硅膜，淀积氮化硅膜，太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条