1) carbonization of PS fil
PS薄膜碳化
2) carbon nitride film
氮化碳薄膜
1.
With a view to the excellent mechanical and tribological properties of carbon nitride(CNx) film and it promising application as wear resistant material and solid lubricant,carbon nitride film was prepared on high-speed steel substrate using magnetron sputtering technique.
采用磁控溅射法在高速钢(HSS)基片上制备了氮化碳薄膜,并以划痕法对其附着力进行了研究。
3) β C 3N 4 film
碳化氮薄膜
4) TiC film
碳化钛薄膜
1.
Tlie high temperature corrosion behaviour of the TiC coating on a stainless steel substrateby CVD in a O2-Br2-Ar atmosphere in relation with the structure of TiC films,corrosion temperature and partial pressures of oxygen and bromine in the atmosphere was investigated.
探讨了在Ｏ２＋Ｂｒ２＋Ａｒ气氛中，耐热纲表面化学气相沉积碳化钛薄膜的高温腐蚀行为与碳化钛的组织形态、腐蚀温度、气氛中的氧分压和漠分压的关系。
5) SiC thin film
碳化硅薄膜
1.
SiC thin film has many preferred properties,such as low density,high thermal conductivity,low thermal expansion coefficient,high hardness and so on.
碳化硅薄膜有密度小、热导率高、热膨胀系数低、硬度高等优异的性能。
6) tungsten carbide thin film
碳化钨薄膜
1.
Typical field emission patterns of tungsten carbide thin film is observed,and its I V behavior and Fowler Nordheim plot is measured.
在 1× 10 -6～ 10 -5Pa环境压强下 ,经过高温退火处理 ,在钨针尖上形成了碳化钨薄膜 ,利用场发射显微镜观察到清楚的钨单晶基底上碳化钨薄膜的场发射图像 ;对碳化钨薄膜的场发射I V特性及Fowler Nordheim曲线进行测量和计算 ;用透射电镜测得针尖曲率半径并估算出比例因子 β ,利用Fowler Nordheim公式计算得到碳化钨薄膜的逸出功约为 3 79eV 。
补充资料：碳化硅晶须补强碳化硅陶瓷基复合材料
分子式：
CAS号：
性质：以碳化硅陶瓷为基和以碳化硅晶须为增强剂的新型陶瓷材料。通过晶须的载荷转移、拔出及裂纹偏转作用，获得比普通碳化硅更高的强度和韧性。使用温度达1400℃。是一种重要的高温结构陶瓷。用于燃气轮机叶片等高温部件和耐磨件制造。采用原位生长工艺和烧结工艺制取。
CAS号：
性质：以碳化硅陶瓷为基和以碳化硅晶须为增强剂的新型陶瓷材料。通过晶须的载荷转移、拔出及裂纹偏转作用，获得比普通碳化硅更高的强度和韧性。使用温度达1400℃。是一种重要的高温结构陶瓷。用于燃气轮机叶片等高温部件和耐磨件制造。采用原位生长工艺和烧结工艺制取。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条