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1)  ultra-thin gate oxides
超薄栅氧化物
2)  thin gate oxide
薄栅氧化物
3)  ultra-thin gate oxide
超薄栅氧化层
1.
The breakdown characteristics of ultra-thin gate oxide n-MOSFET under voltage stress;
电压应力下超薄栅氧化层n-MOSFET的击穿特性
2.
Conduction mechanism of ultra-thin gate oxide n-MOSFET after soft breakdown;
超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制
3.
The dynamic reliability of ultra-thin gate oxide and its breakdown characteristics;
动态应力下超薄栅氧化层经时击穿的可靠性评价
4)  ultra thin gate oxide
超薄栅氧化层
1.
The breakdown protection characteristics of fluorination and nitrification implanted ultra thin gate oxide are investigated.
对注 F、注 N以及先注 N后注 F超薄栅氧化层的击穿特性进行了实验研究 ,实验结果表明 ,在栅介质中引入适量的 F或 N都可以明显地提高栅介质的抗击穿能力 。
2.
The breakdown characteristics of N 2O nitride ultra thin gate oxide are investigated.
研究了含 N超薄栅氧化层的击穿特性 。
5)  superconducting oxide film
氧化物超导薄膜
6)  Thin gate oxide
薄栅氧化层
1.
Research on TDDB of thin gate oxide;
薄栅氧化层的TDDB研究
2.
FN tunneling and hot hole (HH) stress induced leakage current (SILC) transient characteristics in thin gate oxide are investigated.
分别研究了FN隧穿应力和热空穴 (HH)应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性 。
3.
High electric field annealing effect in thin gate oxide of MOS structure is studied in depth, and the detrapping mechanisms of trapped charge in the gate oxide are investigated.
深入研究了MOS结构中薄栅氧化层在高电场下的退火效应 ,对氧化层陷阱电荷的退陷阱机理进行了深入探讨 。
补充资料:钴钼氢氧化物氧化物磷酸盐
CAS:68130-37-0
中文名称:钴钼氢氧化物氧化物磷酸盐
英文名称:Cobalt molybdenum hydroxide oxide phosphate; Molybdenum cobalt acid phosphate complex; Molybdenumcobaltacid phosphate complex
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条