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1)  NvRAM
非挥发性铁电随机存储器
1.
Ferroelectric thin films have attracted much attention in recent years for nonvolative random-access memory (NvRAM) devices, but each of the promising candidates has its own drawbacks for practical applications.
非挥发性铁电随机存储器是铁电薄膜的主要应用之一。
2)  Non-Volatile Random Access Memory NVRAM
非挥发性随机读写存储器
3)  non-volatile and non-destructive-read-out ferroelectric memory (MFIS FET)
不挥发非破坏性读出铁电存储器
4)  non-volatile memory
非挥发性存储器
1.
Single-poly,576bit non-volatile memory is designed and implemented in an SMIC 0.
18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器。
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5)  nonvolatile memory
非挥发性存储器
1.
The development and the basic working principle of nanocrystal nonvolatile memory are introduced.
介绍了纳米晶非挥发性存储器的发展状况和基本工作原理,比较了纳米晶非挥发性存储器所涉及到的各种不同的电荷输运机制,系统介绍了纳米晶非挥发性存储器在纳米晶材料设计、纳米晶晶体生长控制方法、隧穿/控制介质层工程和新型存储器器件结构等方面的一些最新研究进展,对纳米晶非挥发性存储器的研究趋势进行了展望。
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6)  ferroelectric random access memories (FeRAM)
铁电随机存储器
1.
Recently, rare-earth lanthanides doped Bi4Ti3Oi2 (BIT) with Bi-layered perovskite structure has been studied intensively for potential applications in ferroelectric random access memories (FeRAM) due to its relatively low crystallization temperature, good fatigue endurance and larger spontaneous polarization compared to SrBi2Ta2O9 (SBT)-based films.
近年来，稀有金属离子掺杂的钛酸铋(Bi_4Ti_3O_(12)，简写为BTO)铁电薄膜成为研究的热点，这种材料结晶温度较低、抗疲劳特性好、自发极化较大(相对SrBi_2Ta_2O_9薄膜来说)，所以可望成为新的铁电随机存储器(FRAM)专用材料。
补充资料：随机存取存储器(见半导体存储器)


随机存取存储器(见半导体存储器)
random access memory,RAM

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参考词条