1) temperature of buffer layer
缓冲层温度
2) temperature buffer
温度缓冲
3) low temperature buffer layer
低温缓冲层
1.
Molecular Beam Epitaxy (MBE) has been used to grow InSb heteroepilayer on GaAs (001) substrate with optimized low temperature buffer layer.
本文采用分子束外延(MBE)方法在GaAs(001)衬底上优化低温缓冲层生长条件制备了异质外延InSb薄膜,采用原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)与X射线双晶衍射(DCXRD)等方法研究了InSb/GaAs薄膜的表面形貌与结晶质量。
4) temperature buffer
温度缓冲器
5) dash thermometer
缓冲温度计
6) buffer layer thickness
缓冲层厚度
1.
The influence of the low-temperature GaN (LT-GaN) buffer layer thickness on the structural and electrical properties of GaN film by metalorganic chemical vapor deposition was investigated.
用X光双晶衍射(XRD)、AFM和Hall测量研究1μm厚本征GaN外延薄膜的结晶质量、表面粗糙度、背底载流子浓度和迁移率等性能,发现随着LTGaN缓冲层厚度的增加:XRD的半高宽FWHMs增大,表面粗糙度先减小后又略有增大,背底载流子浓度则随之减少,而迁移率的变化则不明显。
补充资料：缓冲层
分子式：
CAS号：
性质：斜交轮胎胎面与胎体之间的胶布层或胶层。其主要作用是缓和外来冲击，防止外层胶的龟裂直接抵达胎体帘布层，并承受轮胎在行驶时或突然停止时，由于惯性作用而产生的剪切应力。为此，它应具有较好的导热性、耐老化性、多次变形下的耐疲劳性和低生热性及耐热性等。所用的帘线强度必须高于胎体帘线。
CAS号：
性质：斜交轮胎胎面与胎体之间的胶布层或胶层。其主要作用是缓和外来冲击，防止外层胶的龟裂直接抵达胎体帘布层，并承受轮胎在行驶时或突然停止时，由于惯性作用而产生的剪切应力。为此，它应具有较好的导热性、耐老化性、多次变形下的耐疲劳性和低生热性及耐热性等。所用的帘线强度必须高于胎体帘线。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条