3) pnp SiGe HBT
pnp型SiGe HBT
1.
Study on the Current Gain in PNP SiGe HBT and Ge-profile;
PNP型SiGe HBT的电流增益与Ge组分研究
2.
When designing the physical structure of pnp SiGe HBT,the higher value ofβand f T can be obtained through changing the Ge composition in base to vary the band-gap structure of it.
在进行pnp型SiGe HBT的设计时,通过改变基区Ge组分改变能带结构,从而获得较高的电流增益和截止频率。
4) power HBT
功率HBT
1.
A power HBT with emitter size of (3μm×15μm)×16 is fabricated using base-emitter metal self-aligning process.
采用发射极 基极金属自对准工艺 ,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT 。
5) SiGe HBT high frequency gain module
SiGe HBT高频增益模块
6) SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs)
SiGe异质结双极晶体管(HBT)
补充资料：70t超高功率电弧炉(淮阴钢铁公司)
70t超高功率电弧炉(淮阴钢铁公司)
彝 70t超高功率电弧炉(淮阴钢铁公司)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条