1) SiGe heterostructure
锗硅异质结构
2) Si-Ge heterojunction
硅-锗异质结
3) SiGe strained layer heterostructure
锗硅应变层异质结构
4) SiGe/Si structure
硅锗/硅结构
5) SiGe HBT
锗硅异质结晶体管
1.
And making high linearitymicrowave power SiGe HBTs (heterojunction bipolar transistors) has been a projectwith high practical meaning.
锗硅技术因其良好的集成功能以及优越的高频性能而在微波功率器件领域和射频集成电路领域中得到了广泛的应用，而制造高线性度的微波功率锗硅异质结晶体管（SiGe HBT）也成为一个非常有实际意义的课题。
6) SiGe HBT
锗硅异质结双极晶体管
1.
Electrical performance of microwave transmission lines and passive elements on Si,and of SiGe HBT are analyzed.
本文阐述了硅材料用作微波集成电路衬底的优点 ,分析了硅衬底微波传输线、无源元件以及锗硅异质结双极晶体管 (Si Ge HBT)的电性能 ,介绍了目前国内外硅衬底微波集成电路研究的进展 ,并对数字电路与 RF及微波电路在硅衬底上混合集成的特点与应用作了讨
补充资料：硅质耐火材料显微结构
硅质耐火材料显微结构
microstructure of silica refractories
gu!zhi na!huo eailiao xianwei Jiegou硅质耐火材料显微结构(mierostrueture ofsiliea refraetories)由鳞石英、方石英、残余石英、硅酸盐、玻璃相等构成多相非均一型的结构。(见彩图插页第23页)鳞石英、方石英、硅酸盐及玻璃相构成基质结构单元。斜方晶系低温型下鳞石英常以六方晶系高温型a鳞石英转变后的假象体形式存在，或以(1 oT6)双晶结合面构成“楔形”双晶体(见图)。7鳞石英的体积分数和直接结合率是评估鳞石英化程度和网络结构连续性的定量参数。 (10T6)z感瓜‘，、一 飞)，~沐全共、、\、，\}犷(0001)、‘~--‘卜一一~-护 交三二二三二三=3V(1010) 鳞石英的晶形及光性方位 假硅灰石、钙铁辉石、钙铁橄榄石及硅酸二钙等组成硅酸盐相，以分散或微区富集方式赋存于鳞石英网络的空隙部位。分布不均的铁的氧化物尚能以a一 Fe203相的形式出现于基质之中。亚稳或稳态方石英，残余石英等构成颗粒结构单元。亚稳方石英系870~1470℃之间a方石英的介稳相，单偏光系统下呈均质性效应，在X射线衍射谱图中难以与稳态方石英区别。。石英向亚稳方石英转化的初期阶段，亚稳方石英构成连续网络，将残余石英分隔成孤立岛状体。继续热过程，残余石英体积分数降低，或从颗粒结构单元中消失。颗粒边缘的棕色反应层，由玻璃相、鳞石英、亚稳方石英组成，系基质中矿化剂与颗粒作用的产物。(见彩图插页第23页) (杨兴华)
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参考词条