1) indium aluminum arsenic phosphide
磷砷化铝铟
2) AlGaInP/GaAs
铝镓铟磷/砷化镓
3) indium aluminum antimonide arsenide
砷锑化铝铟
4) InGaAs/InP
铟镓砷/磷化铟
5) indium aluminum antimonide phosphide
磷锑化铝铟
6) GaInP/GaAs/Ge
镓铟磷/砷化镓/锗
补充资料：磷砷化铝铟
分子式：InxAl1-xAsyP1-y， 0≤x≤1 0≤y≤1。
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ，V族元素化合物半导体，立方晶系闪锌矿结构，禁带宽度随x，y变化而变化。为间接带隙半导体，可在磷化铟衬底上用液相外延等方法制备，用于制作可见光与近红外发光器件和激光器件。
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ，V族元素化合物半导体，立方晶系闪锌矿结构，禁带宽度随x，y变化而变化。为间接带隙半导体，可在磷化铟衬底上用液相外延等方法制备，用于制作可见光与近红外发光器件和激光器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条