1) RFCVD
射频化学气相沉积
2) RF PCVD
射频辉光化学气相沉积
3) DC-RF-PECVD
直流射频等离子增强化学气相沉积
1.
Diamond-like carbon films were successfully deposited on Si substrate by direct current radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (DC-RF-PECVD).
利用直流射频等离子增强化学气相沉积技术在单晶硅表面制备了类金刚石碳薄膜。
4) RF-PECVD
射频等离子体增强化学气相沉积
1.
The a-C:H films were grown by radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(RF-PECVD) on the transition layer coated stainless steel substrates.
本文利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以CH4、H2为气源,Ar为稀释气体,通过增加过渡层和改变输入功率和气体成分比例(CH4/H2),在不锈钢基底上制备了含氢非晶碳膜(a-C:H)。
5) direct current radio frequency plasma chemical vapour deposition
直流射频等离子体化学气相沉积
6) radio frequency plasma chemical vapor deposition
射频等离子体辅助化学气相沉积
补充资料：射频化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：利用射频等离子体激活化学气相反应，进行气相沉积的技术。为了产生射频等离子体，必须对反应室加上射频电磁场，反应室压力保持0.13Pa左右。在射频电磁场的作用下，自由电子的运动引起反应物气体分子的电离，产生等离子体，由此降低化学反应的势垒，这就使得一些引起难以进行的化学反应变得容易进行。RFCVD的特点是能用来沉积绝缘膜。
CAS号：
性质：利用射频等离子体激活化学气相反应，进行气相沉积的技术。为了产生射频等离子体，必须对反应室加上射频电磁场，反应室压力保持0.13Pa左右。在射频电磁场的作用下，自由电子的运动引起反应物气体分子的电离，产生等离子体，由此降低化学反应的势垒，这就使得一些引起难以进行的化学反应变得容易进行。RFCVD的特点是能用来沉积绝缘膜。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条