1) indium aluminum antimonide arsenide
砷锑化铝铟
2) indium gallium antimonide arsenide
砷锑化镓铟
3) indium aluminum antimonide phosphide
磷锑化铝铟
4) indium aluminum arsenic phosphide
磷砷化铝铟
5) indium antimonide arsenide single crystal
砷锑化铟单晶
6) InP/GaAsSb
磷化铟/镓砷锑
补充资料：砷锑化铝铟
分子式：InxAl1-xSbyAs1-y; o≤x≤1 o≤y≤1
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。为混合晶体，闪锌矿型结构。存在间接带隙半导体区，可在磷化铟、砷化铟衬底上用液相外延、分子束外延等方法制备。用于制作从0.6μm可见光到4μm红外光发光器件和激光器件。
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。为混合晶体，闪锌矿型结构。存在间接带隙半导体区，可在磷化铟、砷化铟衬底上用液相外延、分子束外延等方法制备。用于制作从0.6μm可见光到4μm红外光发光器件和激光器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条