1) gallium aluminum antimonide arsenide
砷锑化铝镓
2) Aluminum Gallium Arsenide
砷化铝镓
3) gallium aluminum arsenide (GaAIAs or AIGaAs)
砷铝化镓
4) indium gallium antimonide arsenide
砷锑化镓铟
5) gallium aluminum antimonide phosphide
磷锑化铝镓
6) AlGaInP/GaAs
铝镓铟磷/砷化镓
补充资料：砷锑化铝镓
分子式：GaxAl1-xSbyAs1-y; o≤x≤1 o≤y≤1
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构。晶格常数和禁带宽度随x、y变化，存在间接带隙半导体区。可在锑化镓、砷化铟、磷化铟衬底上用分子束外延、液相外延等方法制备。为制作红外发光器件、激光器件和探测器件的材料。
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构。晶格常数和禁带宽度随x、y变化，存在间接带隙半导体区。可在锑化镓、砷化铟、磷化铟衬底上用分子束外延、液相外延等方法制备。为制作红外发光器件、激光器件和探测器件的材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条