1) gallium antimonide arsenide single crystal
砷锑化镓单晶
2) gallium antimonide single crystal
锑化镓单晶
3) GaAs single crystal
砷化镓单晶
1.
Plastic deformation induced by indentation in a GaAs single crystal was investigated using electron microscopy in the present experiment.
用电子显微镜研究了压痕诱发砷化镓单晶中的塑性变形。
2.
049N Vickers indentation in GaAs single crystal has been investigated using high-resolution electron microscopy.
０４９ Ｎ载荷 Ｖｉｃｋｅｒｓ压痕诱发砷化镓单晶的相转变进行了观察和研究，结果表明。
4) HB-GaAs single ctystle
水平砷化镓单晶
5) gallium arsenic phosphide single crystal
磷砷化镓单晶
6) indium gallium arsenic phosphide single crystal
磷砷化镓铟单晶
补充资料：砷锑化镓单晶
分子式：GaSb1-xAsx o≤x≤1
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。为混合晶体，共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。为直接带隙半导体，禁带宽度在0.70～1.428eV范围，电子迁移率0.17m2(V·s)。采用区域熔炼法、外延法制备。用作光阴极材料。
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。为混合晶体，共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。为直接带隙半导体，禁带宽度在0.70～1.428eV范围，电子迁移率0.17m2(V·s)。采用区域熔炼法、外延法制备。用作光阴极材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条