1) indium gallium antimonide crystal
锑化镓铟晶体
2) indium antimonide crystal
锑化铟晶体
3) indium gallium antimonide phosphide
磷锑化镓铟
4) indium gallium antimonide arsenide
砷锑化镓铟
5) gallium aluminum antimonide crystal
锑化铝镓晶体
6) InP/GaAsSb
磷化铟/镓砷锑
补充资料：锑化镓铟晶体
分子式：InxGa1-xSb 0≤x≤l
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。闪锌矿型结构，为混合晶体。直接带隙半导体，禁带宽度在0.18～0.70eV范围。采用区域熔炼、直拉法制备。为制作激光器材料。
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。闪锌矿型结构，为混合晶体。直接带隙半导体，禁带宽度在0.18～0.70eV范围。采用区域熔炼、直拉法制备。为制作激光器材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条