1) LEC GaAs crystal
直拉砷化镓单晶
2) GaAs single crystal
砷化镓单晶
1.
Plastic deformation induced by indentation in a GaAs single crystal was investigated using electron microscopy in the present experiment.
用电子显微镜研究了压痕诱发砷化镓单晶中的塑性变形。
2.
049N Vickers indentation in GaAs single crystal has been investigated using high-resolution electron microscopy.
０４９ Ｎ载荷 Ｖｉｃｋｅｒｓ压痕诱发砷化镓单晶的相转变进行了观察和研究，结果表明。
3) HB-GaAs single ctystle
水平砷化镓单晶
4) gallium arsenic phosphide single crystal
磷砷化镓单晶
5) indium gallium arsenic phosphide single crystal
磷砷化镓铟单晶
6) indium gallium arsenide single crystal
砷化镓铟单晶
补充资料：直拉砷化镓单晶
分子式：
CAS号：
性质：采用直拉技术生长的砷化镓单晶。占砷化镓单晶总量的30％～40％，用三氧化二硼作覆盖剂，用氮气控制炉内压力在0.1～0.3MPa范围。有不同掺杂浓度的p型(一般掺锌)、n型(一般掺碲)和半绝缘(非掺杂或掺铬)材料。制备工艺特点为生长速度快，易于直接拉制出所需晶向的圆柱形单晶，位错密度一般为104cm-2。用于超高速大规模集成电路器件、窗口材料和光电器件。
CAS号：
性质：采用直拉技术生长的砷化镓单晶。占砷化镓单晶总量的30％～40％，用三氧化二硼作覆盖剂，用氮气控制炉内压力在0.1～0.3MPa范围。有不同掺杂浓度的p型(一般掺锌)、n型(一般掺碲)和半绝缘(非掺杂或掺铬)材料。制备工艺特点为生长速度快，易于直接拉制出所需晶向的圆柱形单晶，位错密度一般为104cm-2。用于超高速大规模集成电路器件、窗口材料和光电器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条