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1)  GaAs transistor
砷化镓晶体管
2)  GaAs FET
砷化镓场效应晶体管
3)  gallium arsenide ultrared lighting transistor
砷化镓红外发光晶体管
4)  gallium arsenide metal semiconductor field effect transistor(GaAs MESFET)
砷化镓金属化半导体场效应晶体管
5)  GaAs microwave power FET
砷化镓微波功率场效应晶体管
6)  GaAs power PHEMT
砷化镓功率赝配高电子迁移率晶体管
补充资料:晶体管-晶体管逻辑电路
晶体管-晶体管逻辑电路
transistor-transistor logic
    集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路(DTL)中的二极管,改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功,基本门电路的结构和元件参数,经历了3次大的改进。同DTL电路相比,TTL电路速度显著提高,功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品,就使开关速度比DTL电路提高5~10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路,开关时间可缩短到3~5纳秒。绝大部分双极型集成电路,都是TTL电路产品。
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