2) semi-insulating GaAs wafer
半绝缘砷化镓单晶片
1.
To obtain high quality semi-insulating GaAs wafers, it is necessary to decrease microscopic defect density.
为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片 ,有必要降低微缺陷密度。
4) semi-insulating gallium arsenide
半绝缘砷化镓
1.
Micro-distribution of carbon in semi-insulating gallium arsenide;
半绝缘砷化镓单晶中碳微区分布的研究
2.
An automatic system for the measurement of two-dimensional distribution of resistivity of semi-insulating gallium arsenide wafer with three electrode guard method is presented in this paper.
本文介绍了三电极保护法半绝缘砷化镓材料电阻率二维分布自动测量系统,在实际应用中,温度波动、异常数据对测量结果产生严重影响,为此我们提出了一些措施。
5) GaAs single crystal
砷化镓单晶
1.
Plastic deformation induced by indentation in a GaAs single crystal was investigated using electron microscopy in the present experiment.
用电子显微镜研究了压痕诱发砷化镓单晶中的塑性变形。
2.
049N Vickers indentation in GaAs single crystal has been investigated using high-resolution electron microscopy.
０４９ Ｎ载荷 Ｖｉｃｋｅｒｓ压痕诱发砷化镓单晶的相转变进行了观察和研究，结果表明。
6) HB-GaAs single ctystle
水平砷化镓单晶
补充资料：半绝缘砷化镓单晶
分子式：
CAS号：
性质：电阻率大于1×107Ω·cm的砷化镓单晶。用掺入铬、氧等深受主杂质补偿硅等浅施主来生长半绝缘单位，也用高压单晶炉用热解坩埚由砷、镓直接合成非掺杂电子迁移率半绝缘单晶。为高速、高频器件及电路、光电集成电路的重要衬底材料。主要用作二氧化碳激光器的耦合输出窗口。
CAS号：
性质：电阻率大于1×107Ω·cm的砷化镓单晶。用掺入铬、氧等深受主杂质补偿硅等浅施主来生长半绝缘单位，也用高压单晶炉用热解坩埚由砷、镓直接合成非掺杂电子迁移率半绝缘单晶。为高速、高频器件及电路、光电集成电路的重要衬底材料。主要用作二氧化碳激光器的耦合输出窗口。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条