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1)  indium gallium antimonide arsenide
砷锑化镓铟
2)  GaInAsSb
镓铟砷锑
3)  InP/GaAsSb
磷化铟/镓砷锑
4)  indium gallium antimonide phosphide
磷锑化镓铟
5)  InGaAs/InP
铟镓砷/磷化铟
6)  GaInP/GaAs/Ge
镓铟磷/砷化镓/锗
补充资料:砷锑化镓铟
分子式:InxGa1-xSbyAs1-y  o≤x≤1  o≤y≤1
CAS号:

性质:周期表第III、V族元素化合物半导体。为混合晶体,闪锌矿型结构。存在间接带隙半导体区。禁带宽度0.1~1.42eV。为制作2~4μm红外发光和激光器件的材料。可在锑化镓、砷化铟衬底上用液相外延、分子束外延等方法制备。

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