1) silicon carbide voltage-sensitive ceramics
碳化硅压敏陶瓷
2) silicon carbide ceramic
碳化硅陶瓷
1.
Microstructure observation on corrosion behavior of liquid phase sintered silicon carbide ceramics
液相烧结碳化硅陶瓷腐蚀行为的显微观察
2.
The silicon carbide ceramic obtained by pyrolyzing the polyferrocarbosilane has some magnetic properties because of the formation of Fe_3Si characterized by XRD.
采用低分子量的聚硅烷(LPS)与二茂铁合成聚铁碳硅烷(PFCS),后者经高温烧成可制得磁性碳化硅陶瓷,XRD分析表明碳化硅陶瓷具有磁性的原因是由于生成了Fe3Si。
3.
Reaction bonded silicon carbide ceramic materials has many excellent performance, such as high-temperature oxidation resistance, corrosion resistance, resistance to wear and tear, heat shock resistance, which make it become one of the most effective methods of silicon carbide preparation.
反应烧结碳化硅陶瓷材料具有优良的抗高温氧化、耐腐蚀、耐磨损、抗热冲击等性能,使反应烧结成为制备碳化硅材料最有效的方法。
3) SiC Ceramics
碳化硅陶瓷
1.
SiC ceramics is a new type structural material which has excellent mechanical properties in high temperature.
碳化硅陶瓷是一种具有优良的高温力学性能的新型结构陶瓷材料 ,具有热膨胀系数小、比重轻 (只有重金属的三分之一 )、导热系数大等特性 ,非常适合应用于航空航天高温结构件的制造。
2.
SiC ceramics were prepared by pressureless sintering.
采用常压烧结法制备碳化硅陶瓷,对其显微结构和导电性能进行了分析。
4) silicon carbide ceramics
碳化硅陶瓷
1.
Activated sintering and sintering additives for silicon carbide ceramics;
碳化硅陶瓷的活化烧结与烧结助剂
2.
Novel reaction-formed joint technology for reaction bonded silicon carbide ceramics;
碳化硅陶瓷新型反应连接技术
3.
With great mechanical properties,silicon carbide ceramics have been used in many fields.
碳化硅陶瓷以其优异的性能被广泛利用于各种领域,但其脆性限制了其性能的发挥,因此其增韧技术得到广泛研究并取得良好效果。
5) pressureless sintering silicon carbide ceramics
无压烧结碳化硅陶瓷
6) porous SiC ceramics
碳化硅多孔陶瓷
1.
The main preparation methods of porous SiC ceramics are reviewed respectively,and the advantages and disadvantages existing in these preparation methods are also analyzed in this paper.
分别对碳化硅多孔陶瓷的主要制备方法进行了阐述,分析了这些制备方法的主要优缺点,并指出将来的研究重点应是高性能碳化硅多孔陶瓷的低成本制备技术及其应用领域的进一步拓展。
补充资料：碳化硅压敏陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：以黑色六方晶系的碳化硅粉末(粒径100μm)为原料，加入陶瓷黏合剂经成型和烧结制成的压敏材料。压敏效应来源于晶粒表面氧化膜的绝缘电阻和接触电阻的电压电流的非线性现象。非线性指数α=2～7，温度系数-0.002/℃，能耐大电力。用作继电器触点火花消除，半导体整流器的异常电压吸收等。
CAS号：
性质：以黑色六方晶系的碳化硅粉末(粒径100μm)为原料，加入陶瓷黏合剂经成型和烧结制成的压敏材料。压敏效应来源于晶粒表面氧化膜的绝缘电阻和接触电阻的电压电流的非线性现象。非线性指数α=2～7，温度系数-0.002/℃，能耐大电力。用作继电器触点火花消除，半导体整流器的异常电压吸收等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条