补充资料：硒化汞晶体

分子式：
CAS号：

性质：周期表第Ⅱ、Ⅵ族化合物半导体。离子键结合，有一定的共价键成分。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6085nm，为复式晶格。密度8.24g/cm3。熔点800℃。导带极小值和价带极大值位于布里渊区中心，电子和空穴有效惯性质量分别为0.045m和0.02～0.08m，电子迁移率0.55m2/(V·s)，室温本征载流子浓度>1023/m3。采用区域熔炼、布里奇曼法制备。用于制作红外探测器。

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