1) indium selenide crystal
硒化铟晶体
2) copper indium diselenide crystal
二硒化铜铟晶体
3) silver indium diselenide crystal
二硒化铟银晶体
4) AgGa_(1-x)In_xSe_2 crystal
硒铟镓银晶体
5) indium telluride crystal
碲化铟晶体
6) indium antimonide crystal
锑化铟晶体
补充资料：硒化铟晶体
分子式： In2Se3
CAS号：
性质：周期表III、Ⅵ族化合物半导体。共价键结合，有离子键成分。低温为闪锌矿型结构，晶格常数0.536nm。高温时为铅锌矿型结构，晶格常数0.711nm。禁带宽度1.3eV，一般为n型材料，电子迁移率3×10-3m2/(V·s)。密度5.67g/cm3，熔点890℃。采用布里奇曼法、直拉法制备。
CAS号：
性质：周期表III、Ⅵ族化合物半导体。共价键结合，有离子键成分。低温为闪锌矿型结构，晶格常数0.536nm。高温时为铅锌矿型结构，晶格常数0.711nm。禁带宽度1.3eV，一般为n型材料，电子迁移率3×10-3m2/(V·s)。密度5.67g/cm3，熔点890℃。采用布里奇曼法、直拉法制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条