1) silver indium disulphide crystal
二硫化铟银晶体
2) silver indium diselenide crystal
二硒化铟银晶体
3) silver indium ditelluride crystal
二碲化铟银晶体
4) copper indium disulphide crystal
二硫化铟铜晶体
5) silver gallium disulphide crystal
二硫化镓银晶体
6) copper indium diselenide crystal
二硒化铜铟晶体
补充资料：二硫化铟银晶体
分子式：AgInS2
CAS号：
性质：周期表第Ⅰ，III，VI族元素化合物半导体。共价键结合，有一定的离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.581nm。为直接带隙半导体，室温时禁带宽度1.94eV，一般为n型材料，电子迁移率1.5×10-2m2/(V·s)。采用布里奇曼法、区域熔炼等方法制备。为可见光发光材料。
CAS号：
性质：周期表第Ⅰ，III，VI族元素化合物半导体。共价键结合，有一定的离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.581nm。为直接带隙半导体，室温时禁带宽度1.94eV，一般为n型材料，电子迁移率1.5×10-2m2/(V·s)。采用布里奇曼法、区域熔炼等方法制备。为可见光发光材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条