1) indium antimonide crystal
锑化铟晶体
2) indium gallium antimonide crystal
锑化镓铟晶体
4) InSb-In
锑化铟-铟
1.
A kind of InSb-In eutectic film based magnet sensitive resistance is adopted for replacing the Hall sensing element in automotive electronic ignition system.
根据汽车点火系统的要求,综合考虑价格因素及实际的安装结构,设计了一种用锑化铟-铟共晶体磁敏电阻代替霍耳元件的电子点火系统,该系统不改变原系统的机械结构,仅在原分电器的基础上做微小的改动,因此其安装简便,且价格便宜,可以投入实施。
2.
A relatively omnidirectional vibration sensor made of InSb-In eutectic film magnetoresistance is introduced.
本文最新研制了一种用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻制成的准全方位振动传感器。
5) Amorphous InSb(a-InSb)
非晶态锑化铟
1.
Amorphous InSb(a-InSb) films on glass substrate were deposited by RF magnetron sputtering technology.
在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态锑化铟(a-InSb)薄膜的低温生长。
6) indium antimonide arsenide single crystal
砷锑化铟单晶
补充资料：锑化铟
分子式：
CAS号：
性质：锑和铟的化合物。具闪锌矿型结构的晶体。金属锑和铟在高温熔合而得。重要的半导体材料之一。经熔炼提纯的单晶，可制成具有特殊性能的红外探测器件等。
CAS号：
性质：锑和铟的化合物。具闪锌矿型结构的晶体。金属锑和铟在高温熔合而得。重要的半导体材料之一。经熔炼提纯的单晶，可制成具有特殊性能的红外探测器件等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条