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1)  Auger map
俄歇图
2)  AES
俄歇
1.
Application of Factor Analysis to AES Studiesof Uranium Oxidation by CO and O_2;
因子分析技术在铀与CO,O_2反应俄歇分析中的运用
3)  Auger phenomenon
俄歇现象
4)  Auger lineshape
俄歇线形
1.
In order to measure the local density of states on each depth profile of the GaAs/Si interface by AES, the Auger lineshape is carefully processed and the Auger lineshape analysis is performed with the help of factor analysis.
采集GaAs/Si界面的各个深度剖面的俄歇线形(Augerlineshape),试图获得局域态密度变化的信息。
5)  Auger peaks of cerium
铈俄歇峰
6)  Auger parameter
俄歇参数
1.
The Auger parameter can be measured more accurately.
从CeM5N45N45的俄歇峰可获得中心离子Ce的电子云密度等信息,发现其俄歇参数与配位体的极化变形程度有关,从而解释了双烯烃定向聚合必须有稀土卤氧键存在的原因。
2.
The suboxides SiO_x on the SiO_2/Si interface were studied by the Auger parameter method.
本文报道了俄歇参数法用于SiO_2/Si界面层硅过渡态的研究。
补充资料:俄歇电子能谱
      测定俄歇电子的能量从而获得固体表面组成等信息的技术。处于激发态的原子可能发生两类过程(图1)。一类是内壳层空穴被外壳层电子所填充,由此释放出能量而产生X射线荧光。另一类是电子由外壳层落到内壳层,用所释放出来的能量打出一个其电离势更低的轨道电子(通常为价电子)。后一个过程称为俄歇过程,以发现此过程的法国科学家P.-V.俄歇命名,被打出来的电子称为俄歇电子。用光或电子轰击固体表面,都能产生俄歇效应。
  
  俄歇电子在固体中运行也同样要经历频繁的非弹性散射,能逸出固体表面的仅仅是表面几层原子所产生的俄歇电子,这些电子的能量大体上处于 10~500电子伏,它们的平均自由程很短,大约为5~20埃,因此俄歇电子能谱所考察的只是固体的表面层。俄歇电子能谱通常用电子束作辐射源,电子束可以聚焦、扫描,因此俄歇电子能谱可以作表面微区分析,并且可以从荧光屏上直接获得俄歇元素像。它是近代考察固体表面的强有力工具,广泛用于各种材料分析以及催化、吸附、腐蚀、磨损等方面的研究。
  
  
  

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