2) Re- flection High Energy Electron Diffraction(RHEED) patterns
反射式高能电子衍射仪(RHEED)图谱
3) RHEED
反射高能电子衍射
1.
The crystal polytypes and luminescent properties of the film were characterized by reflection high energy electron diffraction (RHEED) and photoluminescence (PL), respectively.
利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术,在1350K的衬底温度下,通过改变Si束流强度,在6H-SiC(0001)面上外延生长6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构薄膜,并用反射高能电子衍射(RHEED)与光致发光(PL)谱对生长的薄膜的晶型和发光特性进行表征。
2.
The growth process of the films was in situ monitored by reflective high energy electron diffraction(RHEED).
通过反射高能电子衍射 (RHEED)仪原位实时监测薄膜生长 ,研究薄膜的生长过程。
3.
In this paper, the principle of reflection high energy electron diffraction (RHEED) is introduced.
本文介绍了反射高能电子衍射的工作原理，并将其与低能电子衍射进行了比较，表明ＲＨＥＥＤ具有很多优越性。
5) RHEED
反射式高能电子衍射
1.
The lattice strain in as-prepared BaTiO_3/SrTiO_3 superlattice was analyzed with reflective high energy electronic diffraction(RHEED),X-ray diffraction(XRD) and selective area electron diffraction(SAED).
综合利用反射式高能电子衍射系统(RHEED)、高分辨率X射线衍射(HRXRD)以及高分辨率透射电镜选区电子衍射(SAED)技术,研究超晶格薄膜的晶格应变现象和规律。
2.
The growth process was in situ monitored with reflective high energy electron diffraction(RHEED).
通过反射式高能电子衍射 (RHEED)对生长过程进行原位监测 ,发现对基片的预热处理明显有利于改善其晶面结构 ,当在其上同质外延Sr TiO3 薄膜时 ,容易实现单晶层状生长模式 ,并得到原子级平整度的铁电薄膜。
3.
SrTiO3/BaTiO3 multilayer films were grown on SrTiO3 (001) substrates by laser molecular beam epitaxy(L-MBE), the smooth of films surface was studied by the reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and atomic force microscopy (AFM).
用激光分子束外延技术在SrTiO3(001)村底上外延生长SrTiO3/BaTiO3多层膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)原住实时监测并结合原子力显微镜(AFM),研究了不同基片温度下所生长薄膜的表面平整度,利用X射线衍射(XRD)对外延薄膜进行了结构分析,结果表明薄膜具有二维生长模式,在基片温度为380-470℃之间生长的薄膜具有原子级光滑,并且具有完全C轴取向。
6) Reflection high-energy electron diffraction
反射高能电子衍射
1.
Using reflection high-energy electron diffraction,the diffraction patterns from the biaxially textured CeO2 were observed.
通过反射高能电子衍射仪观察分析了双轴织构CeO2的衍射谱。
补充资料：反射高能电子衍射
反射高能电子衍射是高能电子衍射的一种工作模式。它将能量为10～50keV的单能电子掠射 (1°～3°)到晶体表面，在向前散射方向收集电子束，或将衍射束显示于荧光屏（见图）。
一幅反射高能衍射图只能给出倒易空间（见倒易点阵）某个二维截面，从衍射点之间的距离可确定相应的晶面间距。旋转样品，可以在荧光屏上得到不同方位角的二维倒易截面，从而仍可获得表面结构的全部对称信息。
由于在晶体中电子散射截面远大于X 射线的散射截面，加之掠射角小，从而使反射高能衍射与低能电子衍射一样具有表面灵敏度（约10～40┱）,但它不仅限于作单晶表面结构分析，也可用于多晶、孪晶、无定形表面及微粒样品的表面结构分析。
反射高能电子衍射得到广泛运用是与分子束外延技术发展有关。它可用于原位观察外延膜生长情况，为改进生长条件提供依据。与低能电子的情况有所不同，高能电子束与晶体相互作用中非弹性散射较弱，其强度分析的理论还处于探索之中。
参考书目
Shozo Ino,Jαpanese Journal of Applied Physics,Vol.16,No.6,pp.891～908,1977.
一幅反射高能衍射图只能给出倒易空间（见倒易点阵）某个二维截面，从衍射点之间的距离可确定相应的晶面间距。旋转样品，可以在荧光屏上得到不同方位角的二维倒易截面，从而仍可获得表面结构的全部对称信息。
由于在晶体中电子散射截面远大于X 射线的散射截面，加之掠射角小，从而使反射高能衍射与低能电子衍射一样具有表面灵敏度（约10～40┱）,但它不仅限于作单晶表面结构分析，也可用于多晶、孪晶、无定形表面及微粒样品的表面结构分析。
反射高能电子衍射得到广泛运用是与分子束外延技术发展有关。它可用于原位观察外延膜生长情况，为改进生长条件提供依据。与低能电子的情况有所不同，高能电子束与晶体相互作用中非弹性散射较弱，其强度分析的理论还处于探索之中。
参考书目
Shozo Ino,Jαpanese Journal of Applied Physics,Vol.16,No.6,pp.891～908,1977.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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