1) transistor-grade silicon
晶体管级硅<冶>
3) silicon gate transistor
硅栅晶体管
4) a-SiTFT
非晶硅晶体管
1.
The inner link of the electric properties of a-SiTFT and the optical properties of TFT-AMLCD was analyzed.
分析非晶硅晶体管 (a- Si TFT)的电学特性与薄膜晶体管 -有源矩阵液晶显示 (FTF-AMLCD)光学特性的内在联系。
5) silicon junction transistor
硅面结晶晶体管
6) Metallurgical grade silicon
冶金级硅
1.
Research on hydrometallurgical purification of metallurgical grade silicon under ultrasonic field;
超声场湿法提纯冶金级硅的研究
2.
Application of pre-treatment of metallurgical grade silicon under microwave fild
微波场在冶金级硅酸浸提纯过程的应用
3.
In this paper, a theoretical analysis about the feasibility of phosphorus removal in metallurgical grade silicon with vacuum distillation, then an experiment was conducted.
从理论上分析了利用真空蒸馏的方法除磷提纯冶金级硅的可行性,并进行了真空条件下脱磷的实验研究。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条