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1)  enhancement depletion mos
增强型耗尽型模式金属氧化物半导体
2)  enhancement / depletion MOS integrated circuit
增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路
3)  depletion most
耗尽型金属氧化物半导体晶体管
4)  enhancement mos
增强型金属氧化物半导体场效应晶体管
5)  MOSFET model
金属-氧化物-半导体场效应晶体管模型
6)  enhancement mos
增强型金氧半导体器件
补充资料:增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路
      耗尽型MOS晶体管用作负载管,增强型MOS晶体管用作驱动管组成反相器(图1),并以这种反相器作为基本单元而构成各种集成电路。这种集成电路简称E/D MOS。
  
  
  特点  E/D MOS电路的速度快,电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下,充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中,作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源(栅与源相连,其电压uGS=0)状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS~VDS曲线,沿纵轴翻转180o,取出其中uGS=0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载(图2)。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路,可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5~1/8。此外,由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失,最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此,比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好,为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比,E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
  
  
  结构与工艺  只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同(见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路)。其中耗尽管的初始沟道,是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接,在生长多晶硅之前,需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面:引用氮化硅层实现选择性氧化,降低了场氧化层的台阶;②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子;③硅栅自对准:用多晶硅作栅,可多一层布线。结合自对准,可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
  
  
  采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路,已达到tpd≈4纳秒,功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门/毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路(见互补金属-氧化物-半导体集成电路)比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合,是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
  

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参考词条