1) polycide gate
多晶硅 硅化物栅极
2) polycrystalline silicon gate
多晶硅栅极
4) Double-polysilicon-gate
双多晶硅栅
5) Poly-Si/SiO_2 interface
多晶硅/氧化硅面
6) multicrystalline silicon
多晶硅
1.
Phosphorous gettering of cast multicrystalline silicon wafers from different positions of the ingot;
铸造多晶硅硅片的磷吸杂研究
2.
on electrical properties of multicrystalline silicon prepared by metallurgic method was investigated.
利用四探针电阻测试仪、光学显微镜、扫描电镜、电感耦合等离子发射光谱仪、能谱分析等设备,从晶粒尺寸、组织形态以及晶界析出物等对冶金法制备的多晶硅电阻率的影响。
3.
It is described that a series research of heavy phosphorous diffusion gettering, aluminum and combination of aluminum and phosphorous gettering (evaporation of aluminum on the back of the wafers) are used to fabricate multicrystalline silicon solar cells with different impurity concentration of interstitial oxygen.
对不同氧含量的太阳电池用多晶硅片进行了磷扩散吸杂,铝吸杂及磷铝联合吸杂的研究,用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)和太阳电池效率测试系统测试了吸杂前后多晶硅片的少子寿命和IV曲线。
补充资料：多晶硅
单质硅的一种形态。熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来,结晶成多晶硅(见彩图)。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面,远不如单晶硅明显；在电学性质方面,多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。
由熔融的单质硅在过冷条件下自由结晶，可得多晶硅晶体。多晶硅可作拉制单晶硅的原料。
由熔融的单质硅在过冷条件下自由结晶，可得多晶硅晶体。多晶硅可作拉制单晶硅的原料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条