1) cascaded transistor amplifier
级联晶体管放大器
2) transistor multistage amplifier
晶体管多级放大器
3) Transistor amplifier
晶体管放大器
1.
The thinking and methods of designing a transistor amplifier with LC resonance network are presented.
本文介绍了一种具有 Ｌ Ｃ 谐振网络的晶体管放大器的设计思路及方法。
2.
Based on the basic principles and approaches for the making of the low-noise amplifier , we analysed the noise model of the transistor amplifier(En- In model) and provided a practical method to get the best source resistant Rsopt.
从低噪声放大器设计的基本原理和方法入手，对晶体管放大器的噪声模型（Ｅｎ－Ｉｎ模型）作了分析，并推导出一种实用的最佳源电阻Ｒｓｏｐｔ近似求法。
4) transistor magnetic amplifier
晶体管磁放大器
5) series-wound amplifiers
级联放大器
1.
According to series-wound amplifiers theory,the focus is to reduce the noise factor of the first transistor.
对于一款为低阻抗信号源设计用分立元件组成的前置放大器的低噪声设计要点作了较为详细的阐述,设计据级联放大器理论,重点是降低第一个晶体管的噪声系数,为此选择PNP型超β晶体管,并使之工作在低Uce,低Ic1的微功耗状态,并采取低噪声阻容元件等措施。
6) cascade amplifier klystron
级联放大器速调管
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条