位单元多晶硅,bit-cell polysilicon,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

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1) bit-cell polysilicon 点击朗读

位单元多晶硅

2) single polysilicon 点击朗读

单层多晶硅

例句>>

3) nanopolycrystalline silicon/crystalline silicon 点击朗读

纳米多晶硅/单晶硅

The nanopolycrystalline silicon was joined with the crystalline silicon to form a nanopolycrystalline silicon/crystalline silicon heteroj

本课题在单晶硅太阳能电池的制作工艺中,采用LPCVD方法来生长一层纳米多晶硅薄膜,利用纳米多晶硅薄膜材料与单晶硅衬底形成异质结,将此异质结结构应用在太阳能电池上,在对制得的纳米多晶硅薄膜采用SEM、XRD、Raman、AFM进行形貌分析的基础上,得出纳米多晶硅薄膜的厚度为50nm,晶粒大小约为90nm,对研制的纳米多晶硅/单晶硅电流-电压(I-V)特性和温度特性进行测量和分析,实验结果表明该异质结具有很好的温度系数,对制备的纳米多晶硅/单晶硅异质结太阳能电池的方块电阻、少子寿命、折射率、反射率、转换效率进行了测试和分析,转换效率为13。

4) unit cell 点击朗读

晶胞，晶格单位;[单元]干电池;单位栅元

5) a-Si PIN sensor unit 点击朗读

非晶硅PIN传感单元

6) seed of single crystal silicon 点击朗读

单晶硅籽晶

补充资料：硅多晶的硅烷法制备

硅多晶的硅烷法制备
polycrystalline silicon manufacture by silane process

gUIdUOJIng de gu一Wanfa zh一bei硅多晶的硅烷法制备(polyerystalline silieonmanufaeture by silane proeess)以甲硅烷作.介质的硅材料超提纯技术。是硅多晶的重要生产方法之一。其实质是先用硅粉或硅的化合物制成甲硅烷(SIH小然后用精馏等方法进行提纯，将纯SIH4经热分解siH;干里止篷些生51+2H2而得硅多晶。siH、无腐蚀性，热分解温度低且分解率高，故此法所得硅多晶的纯度高，产率高;但因SIH魂易燃易爆，需采取专门措施。 2。世纪50年代，一些厂家曾试图用硅烷法制造硅多晶，均因未解决好爆炸问题而被迫停产。首先实行稳定生产的是日本小松电子金属公司与石嫁研究所合作开发的以硅化镁作原料的工艺。其反应式为: NH。 MgZSi+4NH;CI一SIH4个斗ZMgC12+4NH:个 siH。再经低温精馏，然后经热分解得硅多晶棒。由于合成过程中有NH3存在，在以下工序的设备上装有真空夹套，较彻底地解决了燃烧与爆炸问题。此法于1960年开始生产，硅多晶的纯度优于西门子法(见硅多晶的西门子法制备)，其硼含量一般小于千亿分之一。但由于成本高等原因，其生产规模停滞在很小的水平上。美国联合碳化物(UCC)公司研究成功了新硅烷法，使成本大幅度降低，并于1985年正式投产。此法利用如下合成和歧化反应获得硅烷: 51+2H2+3SICI;一4SIHC13 65爪HC13一3SIHZC12十3SICI咋 4SIHZC12一ZSIH3CI+ZSIHC13 3SIH3CI一SIHZCI:+SIH、整个过程是闭路，一方投入硅与氢，另一方获得硅烷，因此排出物少，对生态环境有利，同时材料的利用率高。硅多晶的纯度高，其硼含量同样小于千亿分之一。产品多用于制备区熔硅单晶，包括辐射探测器用硅单晶(见辐射探测器用锗单晶和辐射探刚器用硅单晶)，也用于优质直拉硅单晶(见半导体硅材料)的制备。美国埃西尔(Ethyl)公司利用磷肥生产的副产品制成硅烷，经提纯后进入流态化床进行热分解，制成平均粒径为0.7~。.75mm的颗粒状硅多晶，其硼含量小于0.3ppba，已批量生产。这种产品已用于硅的直拉法单晶生长，有可能用于正在开发的连续直拉法单晶生长。 (万群)

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

参考词条

单晶硅单晶硅片单晶硅(100) 硅单晶单晶硅球硅锗单晶

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	您的位置：首页 -> 词典 -> 位单元多晶硅 1) bit-cell polysilicon 位单元多晶硅 2) single polysilicon 单层多晶硅例句>> 3) nanopolycrystalline silicon/crystalline silicon 纳米多晶硅/单晶硅 1. The nanopolycrystalline silicon was joined with the crystalline silicon to form a nanopolycrystalline silicon/crystalline silicon heteroj 本课题在单晶硅太阳能电池的制作工艺中,采用LPCVD方法来生长一层纳米多晶硅薄膜,利用纳米多晶硅薄膜材料与单晶硅衬底形成异质结,将此异质结结构应用在太阳能电池上,在对制得的纳米多晶硅薄膜采用SEM、XRD、Raman、AFM进行形貌分析的基础上,得出纳米多晶硅薄膜的厚度为50nm,晶粒大小约为90nm,对研制的纳米多晶硅/单晶硅电流-电压(I-V)特性和温度特性进行测量和分析,实验结果表明该异质结具有很好的温度系数,对制备的纳米多晶硅/单晶硅异质结太阳能电池的方块电阻、少子寿命、折射率、反射率、转换效率进行了测试和分析,转换效率为13。 4) unit cell 晶胞，晶格单位;[单元]干电池;单位栅元 5) a-Si PIN sensor unit 非晶硅PIN传感单元 6) seed of single crystal silicon 单晶硅籽晶补充资料：硅多晶的硅烷法制备硅多晶的硅烷法制备 polycrystalline silicon manufacture by silane process gUIdUOJIng de gu一Wanfa zh一bei硅多晶的硅烷法制备(polyerystalline silieonmanufaeture by silane proeess)以甲硅烷作.介质的硅材料超提纯技术。是硅多晶的重要生产方法之一。其实质是先用硅粉或硅的化合物制成甲硅烷(SIH小然后用精馏等方法进行提纯，将纯SIH4经热分解siH;干里止篷些生51+2H2而得硅多晶。siH、无腐蚀性，热分解温度低且分解率高，故此法所得硅多晶的纯度高，产率高;但因SIH魂易燃易爆，需采取专门措施。 2。世纪50年代，一些厂家曾试图用硅烷法制造硅多晶，均因未解决好爆炸问题而被迫停产。首先实行稳定生产的是日本小松电子金属公司与石嫁研究所合作开发的以硅化镁作原料的工艺。其反应式为: NH。 MgZSi+4NH;CI一SIH4个斗ZMgC12+4NH:个 siH。再经低温精馏，然后经热分解得硅多晶棒。由于合成过程中有NH3存在，在以下工序的设备上装有真空夹套，较彻底地解决了燃烧与爆炸问题。此法于1960年开始生产，硅多晶的纯度优于西门子法(见硅多晶的西门子法制备)，其硼含量一般小于千亿分之一。但由于成本高等原因，其生产规模停滞在很小的水平上。美国联合碳化物(UCC)公司研究成功了新硅烷法，使成本大幅度降低，并于1985年正式投产。此法利用如下合成和歧化反应获得硅烷: 51+2H2+3SICI;一4SIHC13 65爪HC13一3SIHZC12十3SICI咋 4SIHZC12一ZSIH3CI+ZSIHC13 3SIH3CI一SIHZCI:+SIH、整个过程是闭路，一方投入硅与氢，另一方获得硅烷，因此排出物少，对生态环境有利，同时材料的利用率高。硅多晶的纯度高，其硼含量同样小于千亿分之一。产品多用于制备区熔硅单晶，包括辐射探测器用硅单晶(见辐射探测器用锗单晶和辐射探刚器用硅单晶)，也用于优质直拉硅单晶(见半导体硅材料)的制备。美国埃西尔(Ethyl)公司利用磷肥生产的副产品制成硅烷，经提纯后进入流态化床进行热分解，制成平均粒径为0.7~。.75mm的颗粒状硅多晶，其硼含量小于0.3ppba，已批量生产。这种产品已用于硅的直拉法单晶生长，有可能用于正在开发的连续直拉法单晶生长。 (万群) 说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。参考词条

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