1) saucer pit defect
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碟状坑缺陷
2) saucer pit defects
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碟形坑缺陷
3) pit defects
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坑状缺陷
1.
Influence of pit defects on AlGaN surface and dislocation defects in GaN buffer layer on current collapse of AlGaN/GaN HEMTs;
AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响
4) Dishing defects
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碟形缺陷
5) dishing settlement
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碟状沉陷
6) crater defect
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弧坑缺陷
1.
Finite element analysis for penstock's crater defect;
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压力钢管弧坑缺陷有限元分析
补充资料:碟形封头
分子式:
CAS号:
性质:又称带折边球形封头。其壳体轴向截面为带折边部分球面,结构见图(图暂缺)。该封头由半径Ri的球面、高度为L的圆筒形直边,半径为r的连接球面与直边的过渡区三部分组成。过渡区的存在使球面与圆筒体的连接由突然转折而变为平滑过渡,较好地改善了连接处的受力状况。碟形封头深度h与Ri和r有关,h值的大小直接影响封头的制造难易和壁厚的多少。故在设计时要合理的选取h、r和Ri,详细规定参考GB150“钢制压力容器”规范。
CAS号:
性质:又称带折边球形封头。其壳体轴向截面为带折边部分球面,结构见图(图暂缺)。该封头由半径Ri的球面、高度为L的圆筒形直边,半径为r的连接球面与直边的过渡区三部分组成。过渡区的存在使球面与圆筒体的连接由突然转折而变为平滑过渡,较好地改善了连接处的受力状况。碟形封头深度h与Ri和r有关,h值的大小直接影响封头的制造难易和壁厚的多少。故在设计时要合理的选取h、r和Ri,详细规定参考GB150“钢制压力容器”规范。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条