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1)  n-channel
MOS(NMOS)n-通道金氧半导体
2)  N-channel metal oxide semiconductor (NMOS)
N通道金属氧化半导体
3)  metal oxide semiconductor(MOS)
金属氧化物半导体(MOS)
4)  P-channel metal oxide semiconductor (PMOS)
P通道金属氧化半导体
5)  N-channel MOS[NMOS]
N沟道金属氧体物半导体
6)  MOS(metal-oxide-semiconductor) structure
MOS(金属氧化物半导体)结构
补充资料:氧化物半导体
分子式:
CAS号:

性质:具有半导体特性的一类氧化物。氧化物半导体的电学性质与环境气氛有关。导电率随氧化气氛而增加称为氧化型半导体,是p型半导体;电导率随还原气氛而增加称为还原型半导体,是n型半导体;导电类型随气氛中氧分压的大小而成p型或n型半导体称为两性半导体。非单晶氧化物可用纯金属高温下直接氧化或通过低温化学反应(如金属氯化物与水的复分解反应)来制备。氧化物单晶的制备有焰熔法、熔体生长法和气相反应生长法。氧化物半导体ZnO、CdO、SnO2等常用于制造气敏元件,Fe2O3、Cr2O3、Al2O3等常用于制造湿敏元件;SnO2膜用于制做透明电极等。

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参考词条