1) peripheral grinding
周面磨削
2) peripheral grinding
周边磨削
3) peripheral grinding
圆周磨削
4) double-side grinding
双面磨削
1.
Using double-side grinding technology in 300 mm Si wafer manufacturing process,the Si wafer can obtain high accuracy surface parameters,and generate obvious grinding marks,which can affect the surface flatness.
在直径300mm Si片制备过程中,利用双面磨削技术能获得高精度的表面参数,但同时却会在Si片表面留下明显的磨削印痕,这会影响Si片表面平整度。
5) Plane grinding
平面磨削
1.
Introduced a design method about grinding process based on orthogonal test for indeterminacy of the plane grinding process optimization.
为了充分考虑平面磨削优化过程中的不确定性问题,采用正交试验设计方法进行磨削试验研究。
6) face grinding
端面磨削
1.
In this paper, two types of resin bond diamond wheels with different grain size and concentration were applied in face grinding of two typical special ceramics.
本文采用不同粒度、不同浓度的树脂结合剂金刚石砂轮 ,对两种典型的特种陶瓷材料ZrO2 与Si3 N4 进行了端面磨削实验研究 ;通过在线监测磨削力和功率消耗 ,并结合加工表面的SEM微观分析 ,探讨了ZrO2 与Si3 N4 陶瓷表面的形成特征及材料的去除机理。
2.
An experimental research on face grinding of SiC particle-reinforced aluminium matrix composite 2024Al/SiCp with electroplated diamond grinding wheel was carried out.
用电镀金刚石砂轮对SiC颗粒增强铝基复合材料2024Al/SiCp进行了端面磨削实验研究。
补充资料：传热周边
分子式：
CAS号：
性质：在解决传热问题时所用的当量直径与用于计算压降的形式上虽相同，Ds=4rh；rh=流通面积/润湿周边；但两者的润湿周边定义则有所不同。以套管换热器为例，计算环隙中流体压降时的rh时，润湿周边为πDl+πD2，D1为内管外径，D2为外管内径，而计算传热时，润湿周边则为πDl，并称之为传热周边。
CAS号：
性质：在解决传热问题时所用的当量直径与用于计算压降的形式上虽相同，Ds=4rh；rh=流通面积/润湿周边；但两者的润湿周边定义则有所不同。以套管换热器为例，计算环隙中流体压降时的rh时，润湿周边为πDl+πD2，D1为内管外径，D2为外管内径，而计算传热时，润湿周边则为πDl，并称之为传热周边。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条