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1)  GaAs p-n junction injection laser
砷化镓p-n结注入式激光器
2)  gallium aresenide injection laser
砷化镓注入式激光器
3)  GaAs p-n junction IR source
砷化镓p-n结红外光源
4)  gaas laser
砷化镓激光器
5)  gallium arsenide (GaAs) injection laser
砷化镓注入雷射
6)  P-n junction laser
p-n结激光器
补充资料:砷化镓
砷化镓
gallium arsenide

    一种化合物半导体材料。化学式GaAs,黑灰色固体。熔点1238℃,在600℃以下 ,能在空气中稳定存在,而且不为无氧化性的酸侵蚀。在一定的压力下,镓和砷的蒸气发生反应,便可合成砷化镓晶体。同锗和硅相比,砷化镓的禁带宽广大,电子迁移率高,介电常数小,能引入深能级杂质,电子有效质量小,具有双能谷导带,用于制备发光器件、半导体激光器、微波体效应器件、太阳能电池和高速集成电路等。
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