1) PLZT wafers
PLZT晶圆，钛酸锆酸铅晶圆
2) lanthanum-modified lead zirconate titanate(PLZT)
掺镧锆钛酸铅(PLZT)
3) lead zirconate titanate nano_crystalline powder
锆钛酸铅纳米晶
4) lead lanthanum zirconate stannate titanate
锆钛锡酸铅镧晶体
5) PZT nanowisker
锆钛酸铅纳米晶须
6) PZT
锆钛酸铅
1.
Effects of compaction process on the density and properties of PZT ceramic;
压制方式对锆钛酸铅压电陶瓷密度及性能影响的研究
2.
Fabrication of PZN-PZT Piezoceramics and Ceramic Fibers;
锌铌酸铅-锆钛酸铅(PZN-PZT)压电陶瓷和陶瓷纤维的制备
3.
The Preparation and Performance Measurement of PZT Film;
锆钛酸铅薄膜的制备及性能测试研究
补充资料：PLZT
分子式：
CAS号：
性质：锆钛酸镧铅Pb(1-x)LaxZrTiO3固溶体为主晶相的透明铁电陶瓷。其中Zr/Ti摩尔比约为0.65/0.35，x=0.02～0.12。主要原料为四氧化三铅、三氧化二镧、二氧化锆和二氧化钛。可采用固相法合成。也可采用化学共沉法制取(制品为粉料，有助提高透明度)。该陶瓷通常采用热压烧结工艺(压力为15～40MPa，温度为1100～1250℃)，保持10～30h，可获得几乎全透明铁电陶瓷。外加电场可引起极化状态变化或相变，并引起光学性质变化(如双折射率，散射，表面变形及静电现象等)。主要可用作光开关(如核热闪光护目镜及立体观察镜)，图像存储器，显示器及感光显像管(器)等。
CAS号：
性质：锆钛酸镧铅Pb(1-x)LaxZrTiO3固溶体为主晶相的透明铁电陶瓷。其中Zr/Ti摩尔比约为0.65/0.35，x=0.02～0.12。主要原料为四氧化三铅、三氧化二镧、二氧化锆和二氧化钛。可采用固相法合成。也可采用化学共沉法制取(制品为粉料，有助提高透明度)。该陶瓷通常采用热压烧结工艺(压力为15～40MPa，温度为1100～1250℃)，保持10～30h，可获得几乎全透明铁电陶瓷。外加电场可引起极化状态变化或相变，并引起光学性质变化(如双折射率，散射，表面变形及静电现象等)。主要可用作光开关(如核热闪光护目镜及立体观察镜)，图像存储器，显示器及感光显像管(器)等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条