1) indium phosphide epitaxy materials
磷化铟外延材料
2) InP-based epitaxial material
铟磷基外延材料
3) InP-based materials
磷化铟基材料
4) gallium nitride epitaxial materials
氮化镓外延材料
5) gallium arsenide epitaxy material
砷化镓外延材料
补充资料：磷化铟
分子式： InP
CAS号：
性质：沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75MPa。极微溶于无机酸。介电常数10.8。电子迁移率4600cm2/(V·s)。空穴迁移率150cm2/(V·s)。具有半导体的特性。由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。用作半导体材料，用于光纤通信技术。
CAS号：
性质：沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75MPa。极微溶于无机酸。介电常数10.8。电子迁移率4600cm2/(V·s)。空穴迁移率150cm2/(V·s)。具有半导体的特性。由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。用作半导体材料，用于光纤通信技术。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条