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1)  metal film interconnection
金属膜互连
2)  interconnection [英][,intəkə'nekʃən]  [美][,ɪntɚkə'nɛkʃən]
金属互连
1.
The accelerated life tests with high stresses and noise spectrum measurement at normal bias conditions are performed for Al based interconnection in VLSI,and the variation of frequency exponent γ of 1/ f γ noise with the electromigration evolution during the test is observed.
对VLSI的金属互连线实施高应力下的加速寿命试验和常规应力下的噪声频谱测量 ,得到了金属薄膜1/fγ噪声的频率指数γ在电迁移演化过程中的变化规律 ,发现γ指数在寿命试验的某个时间点发生突变 ,从 1 0上升到 1 6以上 。
3)  metal interconnects
金属互连
1.
Research on the noise characteristics during the electromigration process in VLSI metal interconnects;
VLSI金属互连电迁移1/f~γ噪声特性研究
2.
Consequently, the metal interconnects of VLSI have smaller sectional area and carry increasing power density, which made the electromigration become one of the main latent damage modes.
重点研究了VLSI金属互连电迁移噪声检测技术。
4)  interconnection metal
互连用金属
5)  Metal line interconnection
金属互连线
6)  interconnection metallization
互连金属化层
1.
The application of SEM to the Destructive Physical analysis(DPA)of electronic components was discussed with emphasis on localized observation,imaging and analysis of interconnection metallization abnormal defects of microelectronic devices.
探讨了在电子元器件破坏性物理分析(DPA)中,如何利用扫描电子显微镜(SEM)的高分辨、景深深、放大倍数高和立体感强等一系列技术特点,对微电子器件的互连金属化层异常缺陷进行定位观察、成像和分析的技术。
补充资料:金属
分子式:
CAS号:

性质:具有特有的金属光泽以及良好导电导热性的固态或液态单质。在固态时还具有延展性。大多数元素是金属元素,其特性由元素原子结构和晶体内部结构决定:原子电负性小,吸引电子能力不大,聚集状态时电子流动性大;价层s、p电子少,常形成密堆集晶体结构,如立方面心密堆集、六方密堆集及体心立方堆砌结构。

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参考词条