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1)  multipole emission
多极发射
2)  polysilicon emitter
多晶发射极
1.
In modern advanced bipolar technology, polysilicon emitter structure is adopted.
在现代比较先进的Bipolar技术中,一般采用多晶发射极结构,这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性,因此,这种结构得到广泛的应用。
2.
After synthetizing requirement of home market at present stage, the circuit of class D power amplifier is designed basing on polysilicon emitter BiCMOS process of 0.
6μm特征线宽、双层多晶、双层金属的多晶发射极BiCMOS工艺的D类功率放大器。
3)  Spontaneity multi-pole radiation field
自发多极辐射场
4)  Polysilicon emitter
多晶硅发射极
1.
After a brief analysis of the advantages of polysilicon emitter bipolar transistors, a new technological process for the transistors is designed in this paper according to the bipolar technology available in our country, and the layout of a minimum size transistor is represented.
在简要分析多晶硅发射极双极晶体管特点的基础上 ,根据国内现有的双极工艺水平 ,设计了用于制备多晶硅发射极双极晶体管的工艺流程 ,并给出了一个最小尺寸晶体管的版图 ,最后对设计的多晶硅发射极晶体管的频率特性进行了模拟。
2.
Form a very small base width and adjustable uniform by using the special whole area structure, uniform polysilicon emitter buffer layer can form a uniform light emitter, which laid the foundation for the production of high-frequency devices.
本文主要对高频器件多晶硅发射极工艺进行了研究,对其制作工艺、主要工艺参数进行了研究和优化,并通过优化结果,成功地开发出一套完整的1μm制备微波晶体管工艺。
5)  majority emitter
多数载流发射极
6)  met.
多发射极晶体管
补充资料:多晶莫来石晶须(纤维)
分子式:
CAS号:

性质:莫来石相为主晶相的多晶纤维。化学成分为Al2O3 72%~77%,SiO222%~17%,B2O3 3%~5%,P2O51.5%~3.0%。纤维直径2~7μm,纤维长度20~125μm。使用温度1350℃。多采用溶胶-凝胶法制造。主要用作补强填料,也可作为轻质、隔热保温材料使用。

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参考词条