1) metalorganic solution deposition method
金属有机溶液沉积法
1.
In this work, we used the metalorganic solution deposition method, which is similar to Sol-Gel method but without a process of gelling, tried to simplize the preparing process and studied the influence t on films’properties, including ferroelectric and dielectric properties.
现行制备工艺以溶胶凝胶法居多,我们利用与此法相似的金属有机溶液沉积法,减少溶胶凝胶的形成过程,尝试更简单的制备条件,研究工艺条件与薄膜性能之间的关系;并研究其铁电与介电性能。
2) metalorganic solution decomposition
金属有机溶液分解法
1.
25)Ti_3O_(12)(BNaT) thin films were prepared on SiO_2/p-Si(111) substrate by a metalorganic solution decomposition(MOSD) method.
采用金属有机溶液分解法(MOSD)在SiO2/p-Si(111)衬底上制备了Bi3。
3) solution-phase metal salt deposition
溶液相金属盐沉积
1.
A solution-phase metal salt deposition method was applied to polystyrene-b-poly-(4-vinylpyridine)(PS-b-P4VP) micelles at high temperatures to prepare PS-b-P4VP/Co,PS-b-P4VP/Co-Sm(with Co to Sm molar ratios of 3.
用溶液相金属盐沉积法在苯乙烯与4-乙烯基吡啶嵌段共聚物(PS-b-P4VP)胶束中制备了平均直径为12 nm的PS-b-P4VP/Co、PS-b-P4VP/CoSm(nCo∶nSm=3。
5) MOCVD
金属有机化学气相沉积
1.
The Influential Factors of MOCVD Growth of InP in Opals;
金属有机化学气相沉积法在欧泊空隙中生长磷化铟的影响因素
2.
Latest progress on preparation of ferroelectric thin films prepared by MOCVD process;
金属有机化学气相沉积制备铁电薄膜材料研究进展
3.
The deposition process was carried out in nitrogen by atmospheric pressure metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) with aluminum-tri-sec-butoxide(ATSB) as the precursor.
以仲丁醇铝(ATSB)为前驱物、氮气为载气,用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在HP40钢表面沉积了Al2O3薄膜。
6) MOCVD
有机金属化学气相沉积
1.
Effect of Growth Cycle on SiO_2-InP Fabricated by MOCVD;
生长周期对有机金属化学气相沉积法制备SiO_2-InP光子晶体的影响
补充资料：金属
分子式：
CAS号：
性质：具有特有的金属光泽以及良好导电导热性的固态或液态单质。在固态时还具有延展性。大多数元素是金属元素，其特性由元素原子结构和晶体内部结构决定：原子电负性小，吸引电子能力不大，聚集状态时电子流动性大；价层s、p电子少，常形成密堆集晶体结构，如立方面心密堆集、六方密堆集及体心立方堆砌结构。
CAS号：
性质：具有特有的金属光泽以及良好导电导热性的固态或液态单质。在固态时还具有延展性。大多数元素是金属元素，其特性由元素原子结构和晶体内部结构决定：原子电负性小，吸引电子能力不大，聚集状态时电子流动性大；价层s、p电子少，常形成密堆集晶体结构，如立方面心密堆集、六方密堆集及体心立方堆砌结构。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条