1) defective drugs management system
缺陷药品管理体系
1.
Based on the background above,the paper is designed to establish a framework of defective drugs management system which suits to China\'s situation.
本文的研究正是基于上述背景,意在构建一个符合我国国情的缺陷药品管理体系。
2) defective drugs
缺陷药品
1.
However whit the china's pharmaceutical industry developing rapidly, all the Chinese pharmaceutical company will face the problem how to deal with the defective drugs.
但是随着中国医药行业的迅速发展,如何处理企业产生的缺陷药品是所有制药企业必须面对的问题。
2.
In recent years,China\'s defective drugs caused serious damage incident frequently,threatening public health and safety.
近几年,我国缺陷药品导致的严重损害事件频发,威胁着公众健康与安全。
3) Defects of drug
药品缺陷
1.
Result & Conclusion Defects of drug are not equal to negative drug reaction.
目的准确定义药品缺陷并初步研究其法律归责。
4) defect management system
缺陷管理系统
1.
Thus a webpage based defect management system with far infrared temperature measurement is introduced in this paper.
为此介绍一种网页形式的在线远红外测温缺陷管理系统,以及它的总体结构,设计思路等。
2.
Defect management System is used for managing the defects that detected in software test process.
缺陷管理系统用于集中跟踪软件测试过程中发现的错误,是添加、修改、排序、查寻、存储软件测试错误的数据库程序。
3.
After analyzing current popular defect management tools,this paper proposes a defect management system,WIDS,based on CMM and management process of a software center.
缺陷管理是中大型软件开发过程中的重要部分,通过对现有缺陷管理工具的分析,依据CMM模型和软件中心管理流程的特殊需求,设计和实现了一个软件缺陷管理系统WIDS。
5) defect management
缺陷管理
1.
Research and Application of Defect Management in the Process of System Development;
系统开发过程中缺陷管理的研究与应用
2.
Software Defect Management Based on Software Measurement;
基于度量的软件缺陷管理研究
3.
Design and Implementation of Software Defect Management System Based on Meajurement
基于度量的软件缺陷管理系统的设计与实现
补充资料：缺陷
分子式：
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条