1) Microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition(MPECVD)
微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)
2) microwave plasma enhanced chemical vapor deposition
微波等离子体辅助化学气相沉积
4) MA-CBD
微波辅助化学浴沉积
1.
A rapid synthesis route for the preparation of Cadmiun sulphide (CdS) thin film has been developed, which is microwave-assisted chemical bath deposition (MA-CBD).
采用微波辅助化学浴沉积法快速制备了硫化镉薄膜(CdS),并对薄膜进行了X射线衍射(XRD)、紫外透射和吸收光谱的测试和分析。
5) carbon-assisted CVD method
碳辅助化学气相沉积法
1.
High-density SiO_x nanowires were fabricated on a large-scale using carbon-assisted CVD method by Fe—Al—O catalyst at 1140℃ in flowing N_2/H_2,N_2 and NH_3 atmospheres.
以N2/H2、N2或NH3为载气,利用碳辅助化学气相沉积法,常压1140℃下在石英衬底上制备了大量直径为20—300nm,长数百微米的非晶SiOx纳米线。
补充资料：微波等离子体化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：用微波等离子体激活化学反应，进行气相沉积的技术。微波等离子体增强了气体反应活性，加速气相分解反应和表面原子的迁移，使沉积过程可以在较低生长温度下进行。常用设备在一低压化学气相沉积(CVD)反应管上交叉安装一共振腔和与之匹配的微波发射器。在CVD反应管中被共振腔包围气体可通过微波作用形成等离子体，微波频率通常为2.45GHz，发射功率通常在几百瓦至1kW以上。该方法对于低熔点和高温下不稳定的化合物的薄膜生长更为合适。
CAS号：
性质：用微波等离子体激活化学反应，进行气相沉积的技术。微波等离子体增强了气体反应活性，加速气相分解反应和表面原子的迁移，使沉积过程可以在较低生长温度下进行。常用设备在一低压化学气相沉积(CVD)反应管上交叉安装一共振腔和与之匹配的微波发射器。在CVD反应管中被共振腔包围气体可通过微波作用形成等离子体，微波频率通常为2.45GHz，发射功率通常在几百瓦至1kW以上。该方法对于低熔点和高温下不稳定的化合物的薄膜生长更为合适。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条