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1)  modulated backscatter
调制反射
2)  photoreflectance
光调制反射
1.
Photoluminescence (PL) and photoreflectance (PR) spectra of GaInNAs/GaAs multiple quantum wells (MQWs) grown on GaAs substrate by MBE are measured over a range of temperature and excitation power density.
研究了 Ga In NAs/Ga As多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光 (PL )谱以及光调制反射 (PR)谱 。
2.
The experimental results in GaAs/AlGaAs and strained InGaAs/GaAs multiple quantum wells by using DR technique at room temperature were presented, and compared with the experimental results of photoreflectance (PR) spectra and the theoretical values.
报道一种通过转动样品来实现空间调制微分反射(DR)光谱技术,给出GaAs/AlGaAs多量子阱和应变InGaAs/GaAs多量子阱在室温下的DR谱实验测量结果,并与光调制反射谱(PR)实验和理论计算结果相比较。
3.
The photoluminescence, photoreflectance and Raman spectra of ZnTe/Zn 1 x Mn x Te superlattice samples grown by MBE technique were studied from 11 to 80K.
在11K-80K温度范围内研究了用MBE生长的ZnTe/Zn1-xMnxTe超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱。
3)  modulation of reflectance
反射率调制
4)  Modulated photoreflectance
调制光反射
5)  modulation reflectancespectrum
调制反射光谱
6)  diffuse reflective intensity modulation
漫反射强度调制
补充资料:电势调制电反射法
分子式:
CAS号:

性质:改变电极电势,测量由电势调制引起的固体电极表面的光反射率变化的方法。该法可以用来得到半导体电极的平带电势、表面电荷、能带隙中表面态和金属电极界面的双电层结构等。

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参考词条