1) composite barrier
复合势垒
2) AlGaN/AlInN compound barrier
铝镓氮/铝铟氮复合势垒
3) bonded-barrier transistor
键合势垒晶体管
4) potential barrier
势垒，位垒
5) potential barrier
势垒
1.
Effect of ionic vacancies on potential barrier at grain boundaries in BaTiO_3.;
钛酸钡陶瓷离子缺位对晶界势垒的影响
2.
How to analyze particle wavefunction of tunneling rectangular potential barrier——On an alteration in the new printing of Atomic Physics by Professor Chu Shenglin;
如何分析隧穿直角势垒的粒子波函数——评褚圣麟先生《原子物理学》在新印本中的一个变动
6) barrier
[英]['bæriə(r)] [美]['bærɪɚ]
势垒
1.
The results show that the probability crossing cell membrane is influenced by the ion-energy in the cell membrane channel, height and width of the barrier.
本文提出了细胞膜通道中离子跨膜运输的物理图象并通过数值模拟,研究了离子跨膜运输的几率对电磁场的响应,认为膜通道内离子的能量、势垒的高度以及势垒的宽度均对跨膜运输的离子的几率产生影响。
2.
The field emission of diamond film involves the electrons travel from the negative end of the power supply, through the various interfacial contacts, through the bulk of the film itself, to the film surface,then tunnel through the potential barrier,propagate through the vacuum gap, before finally reaching the anode.
金刚石膜场致发射过程是电子从导电基底开始,经基底/金刚石界面、金刚石薄膜体内传输到表面,然后穿过表面势垒进入真空、经真空电场加速到达阳极的一个复杂过程。
3.
The form of MgSO\-4 dosing in varistor ceramic lattice as shown in microtexture graph and its effect on ZnO crystal barrier is briefly analyzed.
同时 ,对 Mg SO4在高压氧化锌压敏电阻器陶瓷中的存在形式和显微结构以及对 Zn O晶界势垒的影响进行了简要分析。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条