1) bonding crystal
键合晶体
1.
A acousto-optics Q-switched 1064nm short pulse width laser was reported,used LD end-pumped YVO4/Nd∶YVO4 bonding crystal.
利用半导体激光器(LD)端面泵浦YVO4/Nd∶YVO4键合晶体,实现声光调Q1064nm的窄脉宽激光输出。
2) bonded-barrier transistor
键合势垒晶体管
3) crystal bonding
晶体键联
4) valence crystal
价键晶体
5) crystal binding
晶体键
6) wafer bonding
晶片键合
1.
A general wafer bonding criterion is deduced from minimum energy principle,which is developed by linear elastic thin plate theory.
由最小能量原理导出的键合条件出发,利用线性薄板理论,在同一理论模型框架下,通过量度键合过程能否进行的弹性应变能累积率,分析了晶片表面的宏观尺度的弯曲和微观尺度的起伏对晶片键合的影响,并对所得结果进行了详细讨论。
2.
The results indicate that the wafer bonding was of high quality and the thermal stress of bonding.
采用扫描电镜(SEM)和电子背散射衍射(EBSD)技术,观察和分析了GaAs和GaN晶片热压键合的界面热应力和晶片键合质量。
3.
Sequentially, the primary evaluation of the wafer bondingquality was realized.
通过分析不同工艺条件下所获得的键合片质量,包括键合率、缺陷分布以及键合强度等参数的比较,可以有助于理解晶片键合的机理,实现键合工艺的优化。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条