1) SiC nanorods
碳化硅纳米晶须
1.
A method of two step reactions for Synthesis SiC nanorods has been reported.
采用两步生长法生成碳化硅纳米晶须首先是二氧化硅与硅反应生成一氧化硅，再与碳纳米管先驱体反应生成β－SiC纳米晶须其直径为3～35nm，长度为2～20μm。
2.
A two-step reaction was used for the synthesis of SiC nanorods.
通过XRD、HREM、Raman、PL等检测手段，对生成的碳化硅纳米晶须的形貌、结构等进行了分析研究。
2) Silicon Carbide-Nanorods
纳米碳化硅晶须
3) nanosized β-SiCw
纳米级β-碳化硅晶须
4) Nano-meter β-carborundum Whisker
纳米β-碳化硅晶须
6) silicon carbide whisker
碳化硅晶须
1.
The key process parameters for the double-heating synthesis of silicon carbide whiskers with carbon black and SiO2 powders as raw materials are studied.
双重加热法是低成本、大批量合成碳化硅晶须的新技术,合成温度低、合成时间短、生成率高。
2.
The heat conductive silicone rubber with vinyl endblocked polymethylsiloxane as basic gum and silicone nitride(Si_3N_4) of different particle sizes and silicon carbide whisker as fillers was prepared.
以甲基乙烯基硅橡胶为基胶,选用不同粒径氮化硅粒子和碳化硅晶须为填料制备了导热硅橡胶。
3.
The silicon carbide whiskers and platelets are ideal reinforcements of compound materials of ceramic,metal and resin.
碳化硅晶须和晶片都是陶瓷基、金属基、树脂基复合材料的理想增强体,与碳化硅晶须相比,有关碳化硅晶片制备与应用的报道相对较少。
补充资料：碳化硼晶须
分子式：
CAS号：
性质：陶瓷晶须的一种。多数直径为0.05～0.25μm，横截面积约0.002～0.05(μm)2，长度1.27-10.16cm，长径比可达25000：1，强度大于6800MPa。过去曾制得较粗的B4C晶须，横截面积为4.6(μm)2，长约lcm，强度6649MPa，有的模量为481GPa。制法是将无水固态B2O3在氢和天然气或甲烷、乙烷、丙烷、丁烷等小分子量烃类气流中加热至1000℃，在气-气反应中生成B4C晶须。用于编制绳类和耐高温的金属基或树脂基复合材料增强体。
CAS号：
性质：陶瓷晶须的一种。多数直径为0.05～0.25μm，横截面积约0.002～0.05(μm)2，长度1.27-10.16cm，长径比可达25000：1，强度大于6800MPa。过去曾制得较粗的B4C晶须，横截面积为4.6(μm)2，长约lcm，强度6649MPa，有的模量为481GPa。制法是将无水固态B2O3在氢和天然气或甲烷、乙烷、丙烷、丁烷等小分子量烃类气流中加热至1000℃，在气-气反应中生成B4C晶须。用于编制绳类和耐高温的金属基或树脂基复合材料增强体。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条