1) Interface properties of GaSb electrode
锑化镓电极的界面性质
2) GaSb
锑化镓
1.
Observation of Damage Layer on Surface of GaSb Wafer by SEM and TEM;
不同加工工艺的锑化镓晶片损伤研究
2.
Ge and GaSbare selected, two kinds of narrow gap semiconductors, to produce homo-junction TPV withthe heat diffusion.
本论文首先阐述了热光伏技术的国内外发展现状、应用场合、应用前景，同时在论文中详细的阐述了热光伏电池在近红外光线照射下发电的原理；选取锗(Ge)和锑化镓(GaSb)二种窄禁带的半导体材料用热扩散的方法来制作同质结热光伏电池，并详细阐述制作热光伏电池的工艺流程，其中包括基片的准备、表面清洗、扩散制结、腐蚀周边、电极的设计和制作、制版等工艺；最后测试半导体材料的部分参数和成品电池的部分电性能参数。
3) gallium antimonide
锑化镓<冶>
4) GaN polarity
氮化镓极性
5) electrode/electrolyte interface
电极/电解质界面
6) electrode dielectric interface
电极介质界面
补充资料：电极界面现象
电化学中"电极界面"一词，通常指用作电极的电子导体与离子导体之间的界面，其中最常见的是良电子导体与电解质溶液相接触时二者之间的界面。由于电极界面是电子导体与离子导体之间的过渡区域，当电流通过这一界面时将导致界面区内某些组分的氧化或还原（失去或得到电子）。因此，电极界面是实现电极反应的场所，它的基本性质对电极反应的性质及其动力学往往有很大的影响。
若电极界面上不发生电化学反应，则通向界面的电量只用于改变界面构造而不迁越界面，此时电极称理想极化电极；通向电极界面的电量主要用于实现电化学反应时，则电极称为可实现电极反应的电极。
对电极界面现象的研究大致包括下列几方面：①电极界面结构的研究，包括界面两侧所带有的剩余电荷及其分布（见电化学双层）、离子和分子(包括溶剂分子)在界面上的吸附和排列方式、电极金属表面上膜的研究等。为了研究界面结构可采用电化学测量方法（见电毛细现象和电极电容），最好采用理想极化电极以避免电化学反应电流对测量的干扰;还可采用非电化学方法,如示踪原子法、表面波谱技术等。②电极界面结构对电极反应动力学的影响（见迁越超电势）。③由于电极界面区内过剩电荷和离子的非均匀分布而引起的两相之间的相对运动（见电动现象）。
电极界面现象的某些规律也适用于悬浮体系和包含胶态粒子的体系。
若电极界面上不发生电化学反应，则通向界面的电量只用于改变界面构造而不迁越界面，此时电极称理想极化电极；通向电极界面的电量主要用于实现电化学反应时，则电极称为可实现电极反应的电极。
对电极界面现象的研究大致包括下列几方面：①电极界面结构的研究，包括界面两侧所带有的剩余电荷及其分布（见电化学双层）、离子和分子(包括溶剂分子)在界面上的吸附和排列方式、电极金属表面上膜的研究等。为了研究界面结构可采用电化学测量方法（见电毛细现象和电极电容），最好采用理想极化电极以避免电化学反应电流对测量的干扰;还可采用非电化学方法,如示踪原子法、表面波谱技术等。②电极界面结构对电极反应动力学的影响（见迁越超电势）。③由于电极界面区内过剩电荷和离子的非均匀分布而引起的两相之间的相对运动（见电动现象）。
电极界面现象的某些规律也适用于悬浮体系和包含胶态粒子的体系。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条